AP10P500N دیتاشیت

AP10P500N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP10P500N
حجم فایل 75.23 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت AP10P500N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: APEC(Advanced Power Elec) AP10P500N
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.38W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 420pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@10V,1A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: APEC(Advanced Power Elec)

محصولات مشابه